از این حافظه‌ها می‌توان در حوزه‌های مختلف استفاده کرد و نسبت به حافظه‌های رایج دارای مزایایی هستند، برای مثال سرعت آنها بالا بوده، مصرف انرژی کمتری داشته و طول عمر زیادتری دارند.

این گروه تحقیقاتی با استفاده از بسته‌های یونی غلیظ، سیم‌های مغناطیسی را تحت تاثیر قرار داده تا بیت‌ها از میان آن به حرکت در آیند. محققان موفق شدند این بیت‌ها را در مقیاس نانو کنترل کرده و در نهایت حافظه‌های جدیدی بسازند.

این بیت‌ها در یک نانوسیم می‌تواند به شکلی تصور شود که قابلیت دو جهت‌گیری مغناطیسی مختلف صفر و یک داشته باشد. معمولا همه بیت‌ها در حین تولید به‌ صورت خودبه‌خودی یکی از دو گزینه صفر و یک را دارند؛ این جهت‌گیری همانند جهت‌گیری سوزن قطب‌نما است.

این گروه تحقیقاتی نشان داد که بیت‌ها می‌توانند بدون از دست دادن اطلاعات خود، انتقال یابند. این نوع انتقال اطلاعات به‌ طور کلی با انتقال اطلاعات در کامپیوترها متفاوت است، در کامپیوترهای معمولی حرکت هارددیسک موجب انتقال داده‌ها می‌شود.

با توجه به این نکته که یون‌ها چگونه در نانوسیم‌ها حرکت می‌کنند، می‌توان پروفایل انرژی به شکل دندانه اره ایجاد کرد. نامتقارن بودن این دندانه‌ها بسیار حیاتی است.

با این کار یک دیوار دامنه که مرز میان بیت‌هاست، می‌تواند تحت یک میدان مغناطیسی متغیر در یک جهت حرکت کند.

با توجه به این که می‌توان میدان مغناطیسی اعمال شده روی دیوار دامنه را تغییر داد، بنابراین امکان معکوس کردن جهت حرکت وجود دارد. در نتیجه بیت می‌تواند ابتدا در یک جهت حرکت کرده و سپس به‌ صورت کنترل شده دوباره در خلاف همان جهت بازگردد. این نوع انتقال برگشت پذیر بیت‌ها در دیواره دامنه بدون وجود ساختار دندانه‌ای شکل غیرممکن است.

محققان از این سیستم بهره گرفتند و توانستند دیواره دامنه را بچرخانند و بیت‌ها را نگه‌ دارند. این کشف فرصت‌های منحصر بفردی را برای تغییر مفهوم حافظه ایجاد می‌کند. پس از انجام تست‌های آزمایشگاهی، محققان روی ساخت نسل جدیدی از حافظه‌ها کار خواهند کرد. این کار مبتنی بر استفاده از مفاهیم جدیدی نظیر جریان اسپینی تولید شده در لایه‌های غیرمغناطیسی است.

نتایج این تحقیق در نشریه «Nature Nanotechnology» به چاپ رسیده است.